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研究报告︱T积电谋划进军先进存储制造冲击既有格局并加剧我国人工智能芯片供应链竞争压力

wang 2026-11-09 行业资讯
研究报告︱T积电谋划进军先进存储制造冲击既有格局并加剧我国人工智能芯片供应链竞争压力

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2026年11月6日,M国科技媒体The Information(信息报)报道,T积电应最大客户英W达要求,开始制定生产3D DRAM(三维动态随机存取存储器)的计划,路T社、彭B社同日转述,T积电和英W达未回应置评。

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