长鑫科技研报:稀缺DRAM厂商,国产替代从0到1突破(附下载)

中国大陆DRAM 全产业链IDM 厂商。长鑫科技作为中国大陆具备DRAM规模化量产能力的IDM 企业，完成产业奠基、工艺攻坚到产能放量的完整发展历程。公司在合肥、北京布局三座12 英寸晶圆制造基地，2025 年实现经营扭亏，正式走出行业周期底部。受益于产能利用率、良率持续提升，公司营收规模快速扩张，费用端规模效应逐步显现，研发持续加码先进工艺与高端产品，是中国大陆存储芯片自主可控的核心产业载体。AI 驱动存储超级周期，国产替代空间广阔。传统消费电子库存周期逐步弱化，AI 算力拉动服务器DRAM 需求爆发，全球存储行业开启新一轮成长属性更强的超级周期。海外原厂将先进产能向HBM 倾斜，通用DRAM 供给被动收缩，行业供需紧平衡格局有望延续。我国是全球主要DRAM 消费市场，但本土自给率偏低，在下游服务器、手机、汽车电子产业链带动与供应链自主可控诉求下，国产DRAM 拥有广阔的替代空间。技术产品共同升级，规模优势加速兑现。公司坚持跳代式自主研发，第四代工艺平台实现稳定量产，第五代工艺持续迭代。产品端DDR、LPDDR 矩阵不断完善，DDR5 高端服务器产品快速导入，打开第二成长曲线。伴随产线爬坡，高产能利用率持续摊薄折旧等固定成本， IDM 全链条协同的规模优势持续释放。后续随着募投产能落地、客户生态持续完善，公司市场份额与盈利水平具备进一步提升的空间。

一、中国大陆DRAM全产业链IDM厂商

（一）聚焦DRAM芯片自主产业化，实现国产厂商从0到1突破

长鑫科技集团注册于安徽合肥，公司具备规模化量产DRAM的IDM企业，主营为核心主营动态随机存取存储器（DRAM）的研发、晶圆制造、封装测试及产品销售，形成完整自主可控的存储芯片产业链。公司核心产品覆盖通用级DDR4、DDR5服务器内存，移动端LPDDR4X、LPDDR5、 LPDDR5X 低功耗内存，同时布局工业级、车规级高可靠DRAM产品，并前瞻性研发HBM3高带宽内存，覆盖消费、服务器、工业、汽车及AI算力等多下游场景。

公司自成立以来，聚焦DRAM芯片自主产业化，完整经历技术奠基、工艺突破、规模放量三大核心阶段，实现了中国大陆DRAM产业从无到有、从技术攻坚到商业化量产的跨越，公司发展主要分为三个阶段： 2016-2018 年为产业奠基阶段：公司依托合肥产业资源，完成项目落地、核心技术团队组建、产线基建与专利体系搭建，确立DRAM全流程IDM发展路线，为后续工艺研发与晶圆量产筑牢硬件、人才与技术基础。 2019-2022 年为工艺攻坚与小批量试产阶段：公司成功攻克 19nm第一代 DRAM量产工艺，实现国产自主DRAM晶圆流片与小批量出货，逐步完成产品客户验证，初步打通上下游供应链体系，正式切入消费级存储市场。 2023 年至今为产能放量与业绩兑现阶段：公司持续迭代制程工艺，17nm、16nm工艺先后实现稳定量产，DDR5、LPDDR5X等高端产品矩阵成型。伴随产能持续爬坡、良率稳步提升，叠加行业周期回暖，公司实现规模化盈利，叠加上市资本加持，正式开启产能扩张与高端HBM技术迭代的高速成长阶段

（二）股权国资加持架构稳定，绑定长期产业发展

公司股权结构具备国资主导、员工深度绑定、高稳定性特征。公司科创板IPO后，公司总股本 668.81 亿股，无控股股东及实控人，产业战略属性突出。股权层面，公司前五大股东合计持股58.39%，其中清辉集电持股21.67%、长鑫集成持股 11.71%、国家大基金二期持股 8.73%、合肥集鑫持股 8.37%、安徽省投持股 7.91%，穿透后合肥国资体系合计持股 36.79%。此外，核心员工持股平台持股7%，四大国有银行AIC机构合计持股超2.5%，多元股权架构兼顾稳定性与灵活性。

行业资深人才领衔核心团队，研发体系夯实技术根基。公司核心管理层与技术团队深耕存储行业多年，核心人员均具备十年以上三星、美光、台积电等头部半导体企业从业经验，精通DRAM制程研发与晶圆量产运营，积累了中国大陆稀缺的量产核心技术经验，构筑深厚团队壁垒。人才体系方面，公司研发及技术人员超1200人，占全员比例超35%，全覆盖光刻工艺、器件研发、封测验证等核心技术环节，完整支撑公司19nm至16nm制程迭代、良率优化与高端产品落地

（三）行业周期拐点明确，业绩进入高速兑现通道

营收与净利润实现从深度亏损到高速盈利的跨越式突破。营收端持续爆发式增长，2023-2025 年营业收入分别为90.87亿元、241.78亿元、617.99亿元，2024年、2025年同比增速分别达166.07%、 155.63%，三年营收复合增速超160%，增长动能强劲。利润端完成周期拐点跨越，2023-2024年受行业下行、产能爬坡影响，归母净利润分别亏损163.40亿元、71.45亿元，亏损规模持续收窄；2025 年依托行业回暖、产能利用率提升与产品结构升级，公司成功扭亏为盈，实现归母净利润18.75亿元。2026H1，行业延续高景气延续，业绩进一步爆发，2Q26单季度营收达508.00亿元、归母净公司2025年收入结构呈现高端化、集中化特征，产品与区域布局持续优化，夯实业绩成长基本盘。产品端形成双主力支撑、新品增量可期的格局，其中LPDDR移动端产品为核心收入支柱，营收占比66.43%，主要供应中国大陆终端厂商，出货规模稳定；DDR系列服务器产品占比31.87%，以高附加值DDR5产品迭代放量为主，成为核心业绩增量；工业、车规级等特色产品占比2.70%，卡位高溢价利基市场，持续优化盈利结构。区域端收入高度聚焦中国大陆，2025年中国大陆市场收入占比达82.16%，深度绑定本土头部客户，充分受益国产替代红利；海外及港澳台市场收入占比 17.84%，处于稳步拓展阶段

2026H1公司财务指标迎来修复，DRAM行业周期上行带动业绩量价齐升。毛利率实现跨越式增长至84.84%，较2025年全年41.5%大幅攀升，核心系存储价格涨幅较大、产能满载及高端DDR5 产品占比提升，收入增速远超成本增速，盈利结构持续优化。净利润实现大幅扭亏，归母净利润同比由亏转盈，净利率大幅抬升，盈利弹性充分释放。费用端规模效应显著凸显，三费费率持续下行，前期高研发投入逐步兑现成效，管理、财务费用被营收规模持续摊薄，整体费用管控能力优异。周期上行叠加精细化费用管控，公司盈利质量与盈利能力实现双重跃升。

（四）募集资金聚焦主业，持续扩产提升竞争力

公司于2026 年 7月登录科创板，募集资金全部聚焦DRAM主业发展，重点投向先进制程产能扩建、高端存储技术研发及补充流动资金，精准匹配公司产能扩张、工艺迭代、高端产品落地的长期战略，有效解决重资产IDM企业资本开支压力，为公司AI周期红利兑现、国产替代提速提供充足资本支撑。

二、AI驱动存储超级周期，国产替代空间广阔

（一）历史周期复盘：传统库存周期落幕，AI新成长周期开启

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