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►头部客户评估、上游设备采购，共同推动玻璃基板产业化提速

2026年，玻璃基板的产业变化开始同时出现在需求端和供给端。9月24日，《首尔经济日报》报道NVIDIA正在评估玻璃基板；据SCHMID 8月业绩会实录，管理层表示正与Intel、NVIDIA及AMD供应链内的企业开展Glass Core技术和设备合作。上游商业进展也在增加：LPKF第二季度取得LIDE设备订单，9月又收到亚洲先进封装客户的扩线采购意向书；SCHMID于3月交付大尺寸面板级封装设备，国内帝尔激光、东威科技也陆续披露TGV相关订单和交付。上述进展表明，产业需求正从技术探索向客户项目和建线投入延伸。

►核心优势：稳定性与精细布线，适应大尺寸封装需求

AI加速器集成更多计算裸片、Chiplet和HBM，封装尺寸与互连密度同步提高，载板需要在更大面积上维持平整度、线路对准和装配可靠性。玻璃基板的价值首先体现在尺寸稳定性：Shinko公布的玻璃芯样品研究显示，相较传统有机芯基板，最外侧对准标记的位置精度波动降低约35%，翘曲降至不足一半；精细布线方面，DNP已展示1／1微米线宽／线距的RDL样品。Glass Core替换的是芯层，ABF继续承担增层绝缘和精细线路构建，两者可在同一基板中组合。因此，我们看好玻璃芯在高端大封装中的导入价值，同时有机基板升级也将同步推进。

►落地难点：TGV、金属化与增层等多重工艺配合。

TGV成孔需要在大量密集通孔中控制孔形、裂纹和加工一致性；金属化与填铜需要形成连续种子层、减少孔内空洞，并承受铜与玻璃热膨胀差异带来的界面应力；增层则需要在反复压合、固化和布线中维持对准精度，控制翘曲、脱层及切割破片。任一后段工序失效都会损失此前累计的加工投入。因此，量产突破取决于整线良率、制造节拍、单位良品成本与客户可靠性认证，单项工艺达到指标还需要进一步转化为连续批次的稳定产出。

►产业进展：头部厂商已进入客户验证和供给建设，规模收入将分阶段形成。

Intel已展示Glass Core与EMIB集成样品，持续推进组装及可靠性验证；Absolics嵌入式产品进入可靠性评价，非嵌入式路线推进供应商遴选与概念验证准备。三星电机通过拟设GlaSSEM补齐玻璃芯制造能力，合作方提出在2027年10月至2028年3月建立供给体制；LG Innotek以2028年Glass Core量产为目标；DNP久喜试线已经供样，计划2028年完成产线建设，并以2030财年（2030.04-2031.03）量产作为最新投资前提。国内京东方已产出24层、超过100×100毫米的样品并送客验证，TCL科技推进关键工艺攻关和中试研发布局。蓝思科技已与芯片客户联合开发、验证Glass Core，并与Intel开展先进封装工艺合作；沃格光电推进TGV产品打样和客户验证，部分产品已小批交付。

投资建议

综合现有进展，我们判断2027—2028年是首批客户导入的重要观察窗口，2028—2030年有望进入收入增长阶段。

受益标的：设备端：LPKF、SCHMID、帝尔激光和东威科技等公司；材料：天承科技，以及康宁、AGC等玻璃材料供应商；基板端：Intel、三星电机、DNP、SKC／Absolics、LG Innotek及蓝思科技、沃格光电、京东方、TCL科技等公司。

风险提示

技术及可靠性验证不及预期；成本与良率改善不及预期；客户认证及产能建设延后；有机基板和其他封装技术持续升级；AI需求波动。

AI封装向多裸片、多HBM和大尺寸演进，推动玻璃基板从技术开发走向客户项目。玻璃芯可与ABF有机增层及硅桥组合，在更大面积上改善尺寸稳定性、提升互连能力。2026年的重要变化是，这一技术需求开始转化为头部供应链评估与设备采购：9月24日，《首尔经济日报》报道NVIDIA正在评估玻璃基板；SCHMID在8月业绩会中表示，正与Intel、NVIDIA及AMD供应链内企业开展玻璃芯技术和设备合作。

LPKF的订单进展为建线需求提供了直接依据。公司2026年二季度取得LIDE设备订单，9月23日进一步披露，亚洲先进封装客户已完成工艺认证，并提交扩线采购意向书。韩国供给端也在推进：Philoptics已展示2.0毫米厚TGV玻璃样品，据《首尔经济日报》报道，公司称部分海外客户已完成技术验证，正推进设备导入；JNTC于9月21日签署投资备忘录，计划在2027—2030年分阶段建设TGV生产线。

这些变化对应玻璃基板产业从试线开发向客户验证和供给建设推进。Intel正在进行玻璃芯与EMIB的集成验证，Absolics围绕客户产品推进电性能和可靠性评价，三星电机、DNP与LG Innotek同步开展原型制造、供样和量产准备。上游设备订单因此能够先于基板批量供货形成收入，材料复购及完整基板放量则随合格产出和终端产品导入扩大。

综合现有进展，我们判断2027—2028年是首批客户导入的重要观察窗口，2028—2030年有望进入收入增长阶段，兑现程度取决于客户认证后的连续交付和扩线。设备订单可先于基板收入出现，材料复购和完整基板放量则需要跟随客户产品周期。

1.1 AI芯片持续提高封装复杂度

玻璃基板的需求来自AI芯片向多裸片、多HBM和大尺寸封装演进。NVIDIA、AMD等公司正通过封装集成更多计算和存储资源，提高单个加速器的性能。随着芯片数量、连接密度和封装尺寸上升，载板需要在更大面积上维持平整度、线路对准和装配可靠性，材料与制造工艺的重要性随之提高。

NVIDIA Blackwell和AMD MI300系列体现了这一变化。NVIDIA在2024年发布的Blackwell采用两颗大型GPU裸片，通过10 TB/s片间互连组成统一GPU；AMD MI300X集成8颗计算芯粒和8堆HBM3，将计算与存储紧密连接。封装由单颗芯片的连接载体，进一步承担多芯片系统的集成任务。

计算裸片与HBM的高密度集成，是玻璃基板的重要需求动力。NVIDIA Rubin将两颗计算裸片集成于同一封装，最高配置288GB HBM4和22TB/s内存带宽；AMD MI350系列配置288GB HBM3E及最高8TB/s带宽。计算、存储和互连的协同提升，对封装平整度、高密度布线及供电能力提出更高要求，增强了玻璃芯的潜在应用价值。

代表性产品已经显示，封装升级压力同时来自面积与集成复杂度。A100和H100以单颗GPU配合5堆有效HBM，MI300A则在75.4×72毫米封装内集成6颗GPU计算裸片、3颗CPU计算裸片和8堆HBM。其封装外形面积约54.3平方厘米，较A100约30.3平方厘米增加约79%。Ibiden的未来载板路线进一步指向2028年的110×110毫米及2030年以后的超过130×130毫米。更大的加工与装配面积、更密集的芯片间连接，使翘曲、对准精度和整板良率成为材料升级的直接驱动力。

1.2 ASIC与高端CPU拓展应用，光互连提供延伸方向

ASIC和高端CPU为玻璃基板提供GPU之外的应用空间。ASIC围绕算力、内存和功耗共同优化封装，高端CPU则通过Chiplet增加同一封装中的功能与互连。两类产品对尺寸稳定性和高密度布线的需求，与Glass Core的技术优势形成对应关系。

高速网络和光互连有望进一步拓展玻璃在先进封装中的需求。交换芯片带宽提升与CPO发展，要求在更紧凑的空间内连接交换芯片、光引擎及配套器件，增加高密度布线、低损耗通道和精密装配需求。玻璃芯及玻璃中介层可分别提供结构支撑、精细互连和光电集成平台，有望使玻璃的应用由大尺寸计算封装延伸至网络与光电互连。

2.1 玻璃基板的结构与技术路线

玻璃芯基板（Glass Core）的核心变化，是以玻璃替换封装基板内部的有机芯层。芯层承担机械支撑并维持尺寸稳定，玻璃通孔TGV提供上下层的电连接，芯层两侧的有机增层和铜线路完成信号与电源布线。芯片通过中介层、局部硅桥或再布线层与封装基板相连，再由封装基板连接PCB主板。

玻璃中介层位于芯片与封装基板之间，主要承担芯片间高密度互连。Glass Core面向封装基板芯层，Glass Interposer面向中介互连层；TGV是玻璃中的垂直通孔，RDL是横向再布线。两种玻璃路线服务于不同层级，也可以与硅中介层、局部硅桥及有机布线结构组合。

ABF与玻璃芯可以在同一封装基板中共存。ABF是味之素开发的增层绝缘膜，主要用于承载精细铜线路；传统有机基板的芯层通常采用树脂复合材料。Glass Core改变的是芯层材料，增层部分仍可使用ABF，已有增层工艺和基板制造能力可继续参与。

局部硅桥与玻璃芯承担不同功能，可以在同一封装中协同。Intel的Glass Core＋EMIB样品由硅桥负责芯片间细间距互连，由玻璃芯提供尺寸稳定的支撑和上下层连接，体现了芯层材料升级与芯片互连架构的结合。

Glass Core＋有机增层具有衔接现有封装基板产业链的基础。DNP提出与FC-BGA厂商协作，由玻璃芯供应和增层制造共同完成产品集成。我们判断，早期导入更可能沿这一路径推进：在保留有机增层及局部硅桥等互连能力的同时升级芯层，适应大尺寸AI封装需求。

有机基板依靠成熟工艺和供应链，仍具备持续升级的基础。材料改进、增层优化、细线路加工和封装结构设计可以继续提高其性能，既有设备、良率积累及客户认证也支持规模供货。玻璃芯的切入点，是大尺寸封装对平整度、尺寸稳定性及互连密度提出更高要求的产品。

玻璃能否获得采用，最终取决于性能改善与合格品成本的组合。玻璃的刚性和尺寸稳定性提供加工优势，成孔、金属化、界面可靠性及破片控制则增加制造难度。对高价值AI/HPC产品而言，若玻璃芯改善装配与布线能力，其新增工艺成本便有机会被系统收益覆盖；量产良率提升后，应用范围会具备进一步扩大的基础。

2.2 核心优势：尺寸稳定性、高密度布线与电气性能

玻璃的首要优势，是在较大面积上保持平整度和尺寸稳定性。封装尺寸扩大后，层间位置偏移和翘曲会增加光刻对准、芯片贴装及焊点连接的难度。玻璃的刚性和可选热膨胀特性，为细线路加工与大尺寸组装提供更稳定的支撑，潜在价值体现在加工精度和装配一致性。

Shinko的玻璃芯开发结果提供了具体参照。公司在ECTC研究摘要中披露，相比有机芯对照，其样品最外侧对准标记的位置精度波动减少约35%，翘曲降低至一半以下。前者有利于层间套刻，后者有利于维持装配平整度，两项改善直接对应大封装的制造要求。

玻璃芯的尺寸稳定优势，需要与整包应力设计配合。Unimicron的板级仿真显示，玻璃芯更接近硅芯片的热膨胀特性，可以降低芯片侧焊点应变；同一模型中，其与PCB的失配增大，整体变形反而上升。Shinko的基板样品结果和这一板级仿真分别对应不同结构。材料选型与铜分布、增层厚度、板级连接共同优化，才能将芯层优势转化为整包可靠性。

玻璃稳定、平整的表面有利于构建高密度布线，为更多Chiplet和HBM连接提供空间。TGV承担芯层上下的连接，RDL完成横向布线和层间扇出。DNP在IMAPS 2024展示了300×400毫米玻璃面板上的1／1微米线宽线距RDL，体现了玻璃工艺平台支撑精细线路的能力。

面板加工为扩大加工面积和分摊制造成本提供了另一条路径。DNP同一论文展示了550×650毫米玻璃芯面板的TGV完全填铜；NEG也已公开大尺寸TGV玻璃芯样品。随着更多产品单元在同一面板上加工，曝光、电镀、搬运和检测可围绕面板组织生产。成本收益取决于排版利用率、整板均匀性和最终良品产出。

大面板和精细线路的发展需要共同解决制造一致性。面板扩大后，镀铜厚度、曝光对准和边缘损伤的控制范围随之扩大。产业化难点集中在将局部加工能力稳定复制到整板，而这也构成设备、材料和工艺整合的重要价值。

玻璃的高电阻率与低介电损耗配方，有利于减少基底相关的高频电气损耗，对高速互连和玻璃中介层具有吸引力。材料位于信号传输路径时，其介电特性会直接影响损耗；玻璃芯与有机增层组合时，铜线、增层介质和通孔也共同决定通道表现。材料选择与线路设计需要同步优化。

高密度布线还需要足够的导体截面。DNP对玻璃上精细传输线的测量显示，线宽缩小时，铜截面下降带来的导体损耗会增加。提高铜线厚度、优化参考平面和缩短信号路径，有助于兼顾连接密度与电气表现。玻璃的商业价值因此来自封装整体性能的改善，具体体现为更多可用连接、更稳定的加工和更高效的系统布局。

3.1 制造流程与TGV成孔

玻璃芯基板的制造主要包括材料准备、TGV成孔、金属化、铜填孔或孔壁镀铜、增层布线、切割及检测。各工序紧密衔接：玻璃组成影响成孔与蚀刻，孔壁质量影响金属附着，填铜应力影响后续布线和可靠性。量产能力来自整条工艺链的稳定配合。

材料选型决定了后续加工的基础。玻璃组成、厚度、热膨胀系数和表面质量，需要同时匹配激光、蚀刻、金属沉积和封装组装。NEG分别开发适合激光改质蚀刻与CO2激光加工的玻璃，体现了材料与设备路线的协同。玻璃供应商的核心能力在于稳定的材料性能和批次一致性。

TGV成孔主要采用直接激光和激光改质加蚀刻等路线。直接激光去除玻璃形成通孔，流程相对简洁；改质蚀刻先改变局部玻璃，再通过选择性化学蚀刻形成通道，适合开发小孔径和密集孔阵列。LPKF的LIDE属于改质与蚀刻结合的路线。

成孔环节的难点是让整板孔阵列适合后续金属化。孔壁粗糙、微裂纹或较大孔形波动，会增加种子层覆盖与铜填充的难度；过长的加工周期又会提高制造成本。激光控制、玻璃配方、蚀刻药液和清洗共同影响孔质量，设备竞争力最终体现为稳定孔形、低损伤和有效产出。

3.2 金属化、增层与可靠性控制

金属化首先要让绝缘玻璃获得连续、附着可靠的导电层，再通过电镀形成互连。PVD和化学镀等工艺用于建立金属种子层。孔深、孔形和表面状态会影响覆盖效果；深处漏镀或附着不足，会在后续填铜和热循环中转化为开路、脱层等缺陷。

铜填孔的核心难点，是控制整板不同位置的铜生长速度。孔口过早封闭容易留下接缝或空洞，电流分布、药液流动和添加剂共同影响填充均匀性。NIST等机构2026年的研究展示了同一试件中不同通孔填充程度不一致的现象，说明填孔需要协调种子层、电化学条件与传质过程。

铜和玻璃之间的热应力，需要贯穿后续工序管理。填铜、退火、增层固化及回流会改变界面受力，可能形成孔周裂纹、铜突起或脱层。共形孔壁镀铜、部分填充和完全填铜分别改变导体截面、沉积时间与机械约束，具体结构取决于产品电气和可靠性要求。材料、药液与设备的配合因此直接影响良率。

增层布线要在玻璃芯两侧反复构建铜线路、绝缘介质和层间连接。主要难点在于大面积对准、金属与介质附着、细线路开短路，以及多次固化后的应力变化。玻璃提供稳定底层，但最终可交付基板仍需要多层线路、电源网络和互连共同满足产品要求。

玻璃破片与界面失效会损失已经投入的加工价值。切割、夹持和搬运可能形成边缘缺陷，后续热过程又可能推动裂纹扩展。Shinko针对玻璃芯与增层树脂失配引起的内部裂纹，采用边缘涂覆降低应力，并验证其在260℃回流后的抑制效果。边缘保护、设备搬运和工序间检测是量产整合的重要组成部分。

3.3 制造工艺成熟度与后续关键进展

玻璃芯基板已形成关键工艺的公开样品与验证基础，后续重点是将这些能力转化为稳定的完整基板交付。NEG已提供两种成孔路线的TGV玻璃芯样品，DNP展示了填铜面板、精细线路和多层RDL，Shinko则披露了裂纹抑制及电连接可靠性研究结果。各项成果对应不同样品和测试结构，量产能力还需要在目标产品上完成整合。

从规模应用看，我们更关注整线良率、完整封装可靠性与客户认证。制造端需要在连续批次中重复获得合格产品，并改善加工周期和单位良品成本；应用端需要完成目标产品验证，进入量产采购。

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4.1.产业链分工与资本投入

玻璃基板产业链由玻璃材料、芯层加工、封装基板和先进封装企业共同参与。Corning、AGC等供应玻璃材料，DNP及拟设GlaSSEM布局导电玻璃芯，Absolics、LG Innotek等推进玻璃芯封装基板，Intel将玻璃芯与先进封装平台结合。TGV、金属化和增层加工连接上下游，传统基板厂商的精细布线与客户资源仍是新材料导入的重要基础。

设备采购已先于大规模基板放量出现。LPKF在2026年第二季度取得特种玻璃厂商的LIDE设备订单；9月又收到亚洲先进封装客户的追加采购意向书，该客户已有设备运行并完成LIDE工艺认证。采购进展反映玻璃加工正从研发设备投入向产线扩建推进。

主要厂商的优势来自既有技术和客户基础。Intel能够同时推进芯片、材料与封装验证；Absolics建设专用玻璃基板工厂；三星电机和LG Innotek依托FC-BGA经验延伸至玻璃芯；DNP则向基板厂商提供导电玻璃芯。产业仍处于客户验证和量产准备阶段，竞争差异主要体现在产品定位、验证进度和产线投入。

头部项目正在加大量产准备投入。DNP计划在FY2026—FY2028投入300亿日元发展Glass Core；GlaSSEM拟定资本金为4,821亿韩元；Intel曾披露对Chandler玻璃研发线累计投入超过10亿美元。研发投入、设备投资计划与合资资本金对应不同用途，表中分别列示。

4.2 海外重点企业的玻璃基板布局

Intel的优势在于把玻璃芯研发与先进封装平台整合。2023年正式发布技术时，公司已积累十余年研发，并建立Chandler一体化玻璃研发线。自有芯片与封装体系有助于同步调整材料、互连和组装方案，推动玻璃芯服务于更大规模的芯粒集成。

Intel已展示Glass Core与EMIB集成样品，组装和可靠性验证仍在推进。2026年NEPCON原图列明上述验证状态；ECTC技术回顾披露了TGV成形及填铜测试结果，7月又与蓝思科技宣布精密玻璃、激光制造和先进封装合作。其公开导入窗口仍为本十年后半段，尚未披露具名量产产品与确定的量产季度。

玻璃芯对Intel的收益可能首先体现为芯片和封装竞争力。如果率先用于自有产品，相关价值将包含在计算产品或封装服务中，单独的玻璃基板销售收入未必是最合适的观察口径。

Absolics正沿两条产品路径推进客户验证。SKC于2026年9月披露，嵌入式产品已完成初步样品评价并进入可靠性测试，非嵌入式产品则推进供应商遴选和概念验证准备。专用工厂和先期投入为其提供产业化基础，近期收入起点取决于客户验证完成和商业采购。

SKC继续为Absolics的开发和量产准备提供资金。9月22日更正公告将拟认购金额调整为3,730.64亿韩元，拟完成后持股比例为82.37%，付款计划为9月28日。截至2026年9月27日，该交易仍属计划；Absolics半年财务表的收入栏列示为“—”，未提供可单独确认的基板销售收入。

客户设计变化和早期制造良率是Absolics商业化进度的主要约束。申报材料曾披露设备导入、早期良率及客户设计变化对样品进度的影响。先期产能能否转化为经营优势，将取决于产品通过验证后能否形成连续交付和复购。

三星电机通过合资补齐玻璃芯制造能力。2026年7月，三星电机与东友精细化工签署GlaSSEM合资合同，拟在韩国平泽开发、制造和销售Glass Core，结合双方的高端基板和玻璃处理经验。住友化学公告按其财年口径，提出在2027财年下半年建立供给体制，对应2027年10月至2028年3月。

GlaSSEM将衔接玻璃芯加工与三星电机的基板增层能力。三星电机此前已披露世宗试线原型生产，合资安排进一步明确了制造主体和分工。其竞争力有望体现为玻璃处理、高密度布线和既有客户服务能力的结合，完整产品仍需完成后续增层与终端可靠性验证。

DNP定位于导电玻璃芯，主要面向封装基板厂商供货。久喜试线于2025年12月投入运行，2026年1月开始供样。公司以微孔加工、导电化和材料控制为基础，与FC-BGA厂商协同开发后续增层工艺。

DNP的量产投资节奏跟随客户采用时间调整。2026年7月IR材料将芯片厂商采用判断展望调整至2027年底至2028年上半年；9月综合报告以FY2030量产作为投资前提。FY2026—FY2028的Glass Core设备投资计划为300亿日元，2028年产线建设安排与后续客户放量分别推进。

DNP通过基板厂商进入计算芯片供应链，核心竞争力在于玻璃芯与增层流程的匹配。其收入增长将取决于客户采用后玻璃芯的供货规模，产品价值主要对应Core加工，与完整封装基板有所区别。

LG Innotek沿既有FC-BGA能力拓展玻璃芯封装基板。公司披露的流程覆盖TGV、金属镀覆、多层增层及分割，龟尾试线已建成，并与UTI合作开发玻璃强化技术。既有基板制造能力与玻璃可靠性工艺的结合，是其产品开发重点。

LG Innotek以2028年Glass Core量产为目标。2026年9月公告同时提出2027年AI加速器FC-BGA量产目标，两项计划对应不同产品。玻璃芯项目后续收入主要取决于客户验证和量产爬坡。

4.3 材料、传统基板与设备厂商协作

玻璃材料企业正通过基板伙伴拓展先进封装应用。Corning与友达于2026年联合展示Glass Core，康宁提供半导体玻璃、友达提供RDL能力，康宁同时与京东方推进合作。AGC、SCHOTT和日本电气硝子分别提供微孔玻璃、封装面板和TGV样品，上游材料能力正与后续互连工艺结合。

传统高端基板厂商的增层和客户基础，使其能够参与玻璃芯导入。Ibiden已将Glass Core列入技术路线，AT&S推进Leoben研发及设备整合，Shinko和Unimicron开展玻璃芯可靠性研究。产业供应体系有望在既有基板厂商与玻璃加工企业协作中扩展。

国际设备和封装企业围绕各自工序参与玻璃产业化。LPKF已有LIDE订单并取得追加采购意向；Applied Materials参与Absolics产业投资；Lam Research的面板工艺产品覆盖TGV、RDL和铜增厚；Kulicke & Soffa提供下游热压键合平台。设备企业的机会首先来自玻璃加工与组装流程中的新增设备需求。

SCHMID围绕玻璃加工、TGV金属化和面板设备参与Glass Core开发。据2026年8月业绩会实录，管理层表示正与Intel、NVIDIA及AMD供应链内的企业合作，后续关键环节包括TGV金属化及终端客户认证。公司3月已向一家美国科技企业交付最高700×700毫米加工幅面的PLP系统，客户未具名，Glass Core专用用途尚未明确。

4.4 中国产业链：设备订单先行，基板企业推进客户验证

国内较明确的商业进展首先出现在设备和化学品。帝尔激光披露TGV激光改质设备持续取得订单和收入，已出现激光与刻蚀设备成套订单，玻璃基板方向也有客户复购需求；东威科技披露2026年上半年新增TGV设备订单一台；天承科技披露TGV相关产品取得小批量订单，并列明京东方等客户。

上述订单说明建线和验证需求已开始转化为上游业务。设备企业的扩张来自交付验收和客户扩线，化学品则依靠产线运行后的持续消耗。当前披露的订单尚未提供可比的玻璃业务收入规模，相关TGV应用也覆盖多种封装及光通信产品。

蓝思科技与沃格光电从玻璃加工及TGV工艺切入玻璃基板。蓝思科技披露与芯片客户联合开发、验证Glass Core，并与Intel建立具名工艺合作；沃格光电通过通格微开展TGV产品打样、验证及部分小批交付，应用覆盖多个方向。

京东方已贯通玻璃芯封装载板试验线，推进大尺寸产品客户验证。公司9月披露，试验线已贯通TGV、镀铜、ABF增层及后道工艺，24层、尺寸超过100×100毫米的产品已产出并送交客户验证。管理层希望于2027年上半年、争取一季度达到量产投资决策条件，前提是客户需求和良率满足要求。后续重点在于芯片封装后的电性能、系统可靠性验证，以及量产投资落地。

TCL科技通过华星推进玻璃基封装，布局关键工艺与中试研发。公司已组建专业团队，与目标客户联合攻关TGV填铜、多膜层应力控制及玻璃深加工，计划于2026年下半年展示样品并启动中试研发平台筹建。其大尺寸玻璃处理、薄膜沉积及图形化能力构成进入基础。

国内配套设备已从成孔扩展至金属化、光刻和检测。北方华创、汇成真空披露面向TGV的PVD产品，盛美上海、芯碁微装布局兼容玻璃的面板级设备。部分厂商已有设备交付，其他厂商仍以专用产品研发和客户测试为主，商业进度存在差异。

日联科技开展TGV等内部缺陷检测研发。随着玻璃基板尺寸和互连密度提高，检测设备的需求将更多来自制造缺陷识别和过程控制。

蓝特光学以TGV玻璃晶圆及精密加工能力参与先进封装。2026年半年报将TGV列入半导体类晶圆产品；公司官网列示4、6、8、12英寸TGV玻璃晶圆，最小通孔直径20微米。其现有披露主要体现玻璃晶圆及成孔加工能力，面向AI/HPC的完整Glass Core客户采用和专项收入仍待后续披露。

彩虹股份正从基板玻璃能力向半导体封装材料研发延伸。2026年半年报披露，公司开展半导体封装基板玻璃的市场分析与技术开发，目前处于研发阶段。半导体封装玻璃与公司既有显示基板玻璃的产品要求和客户验证不同，后续进展主要看封装材料规格、送样验证与供货。

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玻璃基板正从工艺开发转向客户验证，AI/HPC应用仍处于产业化前期。早期TGV应用主要集中于RF与MEMS；主要厂商目前已推进专用产线、功能样品与客户项目，产业进度由单项工艺验证转向产品和产线协同开发。

当前商业化的分化主要体现为产品层级和客户验证进度。玻璃加工设备的工艺认证、玻璃芯供样和完整封装可靠性评价分别推进；后续从试线过渡到商业供货，需要客户放行、正式采购与稳定良品产出相衔接。

主要厂商的公开计划覆盖2027年末至2030财年前后的供给建设和量产准备。GlaSSEM按住友化学的财年口径，计划在2027财年下半年建立Glass Core供给体制，对应2027年10月至2028年3月；LG Innotek以2028年玻璃基板量产为目标；DNP计划于2028年完成产线建设，并以2030财年（2030年4月至2031年3月）量产作为最新投资前提。各公司分别处于玻璃芯供给、完整基板开发及客户导入的不同环节。

2027—2028年的导入窗口，来自客户采用决策与玻璃芯供给就绪两个节点的交汇。DNP《统合报告书2026》将半导体厂商的采用判断时点列为2027年末至2028年上半年；住友化学披露GlaSSEM计划于2027年10月至2028年3月建立玻璃芯供给体制，LG Innotek则提出2028年玻璃基板量产目标。这些披露共同支持首批客户项目在该窗口推进商业导入的判断。Intel提出的本十年后半段窗口方向一致；DNP以2030财年量产为投资前提，说明后续大规模供给仍将分批形成。我们据此判断产业将经历先导入、后扩产的过程。

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综合现有进展，我们判断2027—2028年是首批客户导入的重要观察窗口，2028—2030年有望进入收入增长阶段，兑现程度取决于客户认证后的连续交付和扩线。设备订单有望先于基板收入出现，材料复购和完整基板放量则需要跟随客户产品周期。

设备端受益标的：LPKF、SCHMID、帝尔激光和东威科技等公司。

材料端受益标的：天承科技，以及康宁、AGC等玻璃材料供应商。

海外基板端受益标的：Intel、三星电机、DNP、SKC和LG Innotek等公司。中国大陆基板端受益标的：蓝思科技、沃格光电、京东方、TCL科技等公司。

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TGV成孔、铜玻璃界面、增层及切割等环节仍可能制约整体良率。若微裂纹、填孔缺陷或热循环失效难以在大尺寸产品中持续改善，工程验证将反复，交付能力和客户导入进度均可能低于预期。

玻璃基板可能面临技术可行但经济性不足的风险。低良率、破板、返工和低产能利用率会提高单位良品成本；若客户接受的价格不足以覆盖新增制造投入，供应商可能面临收入增长而利润改善有限的压力。产线建设先于订单放量，也会增加折旧和现金流负担。

客户认证后移将推迟基板收入，并影响上游设备采购。玻璃基板需与芯片、互连及散热方案共同验证，客户设计变化或新增测试可能延长认证周期。设备采购意向也可能因客户预算、产线规划或技术路线调整而未按期转为正式订单。

有机芯基板、RDL中介层及硅桥等方案持续进步，可能降低部分产品采用玻璃的必要性。若成熟方案在翘曲、布线和可靠性方面仍能满足要求，并具备成本及供应链优势，玻璃芯的导入可能集中于少数复杂封装，渗透速度低于预期。

AI基础设施投资放缓、GPU或ASIC产品延期，可能同时影响封装数量与扩产需求。客户若减少采购、延后新平台或调整封装架构，玻璃基板产业链的设备订单、材料消耗及基板产能利用率均可能承压，前期投资回收周期随之延长。

重要提醒

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