信息来源：花旗银行（Citi）《持续学习推动HBM/eSSD需求》

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当前市场对AI存储板块存在两大核心担忧：一是部分AI模型为控制成本、提升量产良率出现HBM内存规格下调现象，市场普遍担忧HBM单机用量下滑、行业需求增长不及预期；二是2026年全球AI安全监管持续升温，硅谷头部AI企业集体呼吁对前沿大模型发展“踩刹车”，市场担忧全球AI算力资本开支周期放缓、存储需求阶段性承压。

花旗全球半导体团队在9月14日的研报中提出核心判断：短期规格下调、监管情绪扰动无法改变产业底层逻辑，AI持续学习范式的规模化落地将从根本上重塑全球内存与存储长期需求，完全对冲上述利空因素，开启存储行业长达数年的结构性高增周期。

从范式变革来看，传统AI属于“训练一次、长期推理、静态固化”的阶段性模式，而持续学习让AI系统转变为训练与推理长期并行、数据迭代全天候持续的动态模式，内存与存储需求从过往训练阶段的一次性脉冲式需求，升级为贯穿模型全生命周期的持续性、刚性结构性需求。

花旗预测：①HBM比特需求2027年同比+62%至752亿Gb，2028年同比+69%至1270亿Gb，两年需求规模近乎翻倍，增速远超此前市场一致预期；②全球DRAM整体需求2027年同比+30%、2028年同比+35%，而同期供给增速仅19%、22%，对应DRAM供需缺口分别为-8.7%、-9.7%，缺口持续扩大；③NAND/eSSD赛道超额高增，2027年全球企业级eSSD需求同比增速达52.9%，大幅领跑整体SSD 45%的增速，NAND供给端受原厂控产约束，2027年供给增速仅21.2%，供需错配格局明确。

资本开支维度，花旗预计2027年全球内存行业资本开支同比大幅增长46.5%，但开支增速仍无法匹配AI持续学习带来的爆发式需求增长。整体来看，内存供应短缺格局将在2028年显著加剧，且这一结构性紧平衡周期将持续延伸至2031年。行业结构性增长浪潮下，核心受益链条覆盖HBM制造、服务器DRAM、NAND/eSSD、存储设备及上游材料设备全产业链。

一、AI持续学习是未来五年AI的核心主线与底层变革

1.1 什么是持续学习

持续学习（Continual Learning，亦称增量学习或终身学习）是未来五年人工智能最核心的技术迭代范式，彻底颠覆传统大模型静态运行模式。传统AI采用离线批量训练、部署后参数固化机制，依托固定数据集完成集中训练，模型上线后不再主动学习新数据、新场景，仅依靠固有参数完成推理，存在适配性差、迭代成本高、资源浪费严重等痛点，且极易出现“学新忘旧”的灾难性遗忘问题。

而AI持续学习的核心定义是模型商业化部署后，在保留历史学习能力的前提下，全天候、增量式接入新数据、新任务、新场景完成动态迭代更新。该模式无需从零重启全量训练，可实现模型能力的持续升级，是通用人工智能落地、AI资源效率最大化的核心必经路径，也是本轮存储需求爆发的底层核心逻辑。

1.2 持续学习彻底重构存储需求逻辑

传统AI存储需求具备极强的阶段性、脉冲式特征：仅在模型前期大规模预训练阶段产生海量存储需求，部署完成后仅留存少量常态化推理需求，整体需求持续性弱、增长空间有限。

持续学习范式彻底打破传统格局，构建出训练常态化、推理迭代化、数据永续化的三维刚性需求体系，从根本上抬升内存与存储的长期需求中枢，具体分为两大核心变革：

第一，AI训练由“阶段性集中训练”变为“全天候持续微调”。持续学习模式下，大模型无固定训练周期，依托实时数据流不间断完成增量训练、参数微调，对高带宽、低延迟内存的需求长期存在。这让HBM的核心价值从“预训练专用硬件”升级为“全生命周期刚需硬件”，即便单卡HBM规格小幅下调，行业整体比特需求总量仍将指数级爆发。

第二，AI推理由“单纯结果输出”变为“数据闭环入口”。传统推理仅负责输出计算结果，而持续学习下的每一次场景推理、人机交互、业务运算都会产生全新增量数据，所有数据需要实时调取、即时留存、汇总复盘、反哺迭代。高频数据调取倒逼服务器DDR5全面替代DDR4，海量历史知识库、迭代日志、模型参数文件的永久留存，持续打开eSSD大容量存储空间。

1.3 持续学习成为行业主流的核心动因与风险拆解

花旗认为持续学习能够成为未来五年AI核心主线，核心源自极致的产业效率优势。传统模型每一次版本迭代，均需要调取全部历史数据、从零重启训练，算力损耗、时间成本、数据成本极高，产业规模化落地难度大。而持续学习依托增量迭代模式，复用存量训练成果，仅针对新增内容优化参数，可降低超50%的无效算力消耗，大幅缩短模型升级周期，适配AI规模化商用需求。

针对市场两大短期担忧，花旗明确给出反向论证：一是HBM规格下调为供给端良率优化行为，而非需求走弱，行业需求总量由模型迭代频次、数据体量、算力规模决定，单规格微调不改变总量高增趋势；二是AI安全监管为行业规范化优化，仅约束不合规数据与模型，不会阻碍持续学习的技术迭代方向，长期产业成长逻辑完全稳固。

二、细分赛道HBM、DDR5和eSSD全面高增

2.1 HBM是AI持续学习最大受益赛道，2027-2028年将指数级爆发

HBM作为适配AI高频动态训练的核心硬件，是持续学习范式下需求确定性最强、增速最高的细分赛道。区别于传统仅服务英伟达算力生态的需求结构，本轮HBM需求增量全面扩容，覆盖英伟达、博通（AVGO）、谷歌ASIC芯片等全品类AI算力硬件，需求边界持续拓宽。

花旗上修预测值：2027年全球HBM比特需求量同比增长62%，总量达到752亿Gb；2028年增速进一步抬升至69%，需求总量突破1270亿Gb。两年需求规模近乎翻倍，增速、总量均大幅高于此前市场一致预期，即便行业存在规格下调扰动，整体需求高增趋势无任何逆转风险。

核心逻辑在于续学习带来的模型迭代频次提升、实时训练数据流扩容、多厂商算力硬件渗透三大增量，完全覆盖单设备规格下调的小幅减量，行业整体HBM比特需求进入无天花板的高速增长通道。

2.2 服务器DDR5是AI推理刚需，量价齐升确定性稳固

在持续学习闭环体系中，AI推理的算力与内存需求大幅升级。模型每一次推理都需要实时调取海量历史参数、训练数据、场景数据，对服务器内存的延迟、带宽、并行算力要求大幅提升，传统DDR4内存性能无法适配迭代式AI推理需求，DDR5替代渗透进入加速期。

行业数据预测，2027-2028年全球服务器DRAM需求随AI推理场景扩容持续高增，叠加云端算力集群扩建、行业AI落地、个人AI终端兴起，服务器DDR5单机搭载容量将持续提升、渗透率将快速突破90%，成为承接AI推理DRAM增量的唯一核心品类，与HBM形成“训练+推理”双向共振的增长格局。在整体DRAM 30%-35%的高增速中，服务器DDR5贡献超70%的增量。

2.3 eSSD和NAND是数据留存核心底座，细分增速领跑全存储板块

持续学习的核心前提是完整的数据积累，模型全生命周期的训练数据、推理日志、参数文件、场景知识库均需永久留存，一旦数据缺失将直接导致模型迭代断层、能力退化，催生海量企业级存储刚需。相较于消费级SSD，eSSD具备高稳定性、高读写效率、7×24小时不间断运行的特性，完美适配AI算力中心的严苛需求。

花旗认为2027年全球企业级eSSD需求同比增速将高达52.9%，大幅领先全球整体SSD 45%的增速，是存储板块增速最快的细分赛道之一。供给端呈现明显约束，海外原厂主动控产，三星等头部厂商持续下调NAND产能规划，2027年全球NAND供给增速仅21.2%，需求增速远超供给，eSSD供需缺口持续打开，行业量价齐升逻辑明确。

三、DRAM行业2027-2028年供需缺口持续放大，结构性短缺延续至2031

3.1 需求端：AI驱动DRAM需求跨越式增长，结构持续优化

持续学习范式彻底重构DRAM需求结构，AI算力需求正式取代手机、PC等传统消费电子，成为行业第一增长驱动力。花旗认为2027年全球DRAM整体需求将同比增长30%，2028年进一步提升至35%，连续两年维持超30%的跨越式高增。其中增量全部集中于高附加值的服务器DDR5与AI HBM领域，传统消费级DRAM需求增速维持低位，行业产品结构持续升级，整体盈利能力中枢上移。

3.2 供给端：产能刚性约束，供给弹性严重不足

存储芯片产能建设、产线升级、良率爬坡存在12-18个月的长周期，行业供给弹性极低，无法匹配AI技术迭代带来的爆发式需求。花旗预测2027年全球DRAM供给增速仅19%，2028年小幅提升至22%，连续两年供给增速较需求增速存在10个百分点以上的巨大缺口。同时，2027年全球内存行业资本开支同比大增46.5%，但大额资本开支主要用于技术升级、良率提升，新增有效产能释放滞后，无法短期填补供需缺口。

3.3 供需缺口持续加剧，长期结构性短缺格局确立

供需严重错配下，行业短缺压力持续放大：2027年DRAM市场供需缺口为8.7%，2028年缺口进一步扩大至9.7%，存储行业正式进入深度供不应求周期。2028年下半年个人人工智能、物理人工智能场景逐步商业化落地，终端AI持续学习需求新增海量算力与存储需求，进一步加剧行业供需矛盾。

花旗重点强调本轮存储短缺并非传统库存周期、产能周期的短期波动，而是AI持续学习技术范式革新带来的结构性、长期性短缺。2028年行业短缺态势将持续加剧，且这一紧平衡、高景气格局将持续延伸至2031年，行业正式开启长达5年以上的超级上行周期。

四、全产业链受益逻辑细化

在AI持续学习重塑存储行业结构性增长的大趋势下，产业链上下游多环节迎来确定性量价红利，结合细分赛道增速与供需格局，核心受益链条细化如下：

1、高端芯片核心环节：HBM核心制造商，直接享受2027-2028年60%+超高需求增速、供需紧平衡红利；高端服务器DRAM供应商，受益于DDR5渗透率提升、AI推理需求高增，产品溢价能力持续上行。

2、存储介质与终端环节：NAND闪存原厂、企业级eSSD制造商，依托52.9%的超高需求增速、21.2%的低供给增速，持续享受量价齐升红利，AI算力存储占比持续提升。

3、上游配套环节：存储核心材料、高端生产设备、先进封装测试企业，随下游HBM、DDR5、eSSD产能扩张与产品升级，订单持续高增，充分受益于产业链高景气上行。