美银研报，英诺赛科，氮化镓龙头即将迎来爆发

手机充电器是不是越来越小，但功率却越来越高？这背后，一种被称为GaN（氮化镓）的“黑科技”材料功不可没。
美银发布研报，首次覆盖英诺赛科。

一. 核心观点：GaN时代爆发，英诺赛科领跑
英诺赛科正处在一个即将爆发的黄金赛道上，并且它就是那个跑得最快的“冠军选手”。
全球GaN功率半导体市场规模将从2024年的27亿人民币，飙升至2028年的192亿，复合年增长率高达 63%！
这意味着未来四年，整个市场规模将翻近7倍。

而英诺赛科，正是这场盛宴的主角。
全球市占率第一： 2024年，英诺赛科凭借30%的全球市场份额，稳坐行业头把交椅。
增长“三驾马车”：市场爆发的核心驱动力来自：
AI 数据中心，电动汽车，消费电子

二. 杀手锏之一：牵手NVIDIA，引爆AI数据中心
2025年8月，英诺赛科宣布与英伟达合作，共同开发下一代AI数据中心的800V高压直流电源架构。
在传统方案中，每千瓦的GaN器件价值量约27美元。而在NVIDIA的800V新架构下，这个数字飙升至197美元，足足增长了7.3倍！
随着NVIDIA计划在2027年下半年推出基于该架构的Rubin GPU平台，这将为英诺赛科带来巨大的收入上行空间。

三. 杀手锏之二：IDM模式 + 产能为王
英诺赛科是业内罕见的IDM公司，即集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体。成本更低，迭代更快，良率更高，良率超过95%。
公司正在疯狂扩张产能。其月产能规划将从2024年的1.3万片，扩张至2028年的7万片，为抓住市场爆发做足了准备。

04. 财务拐点：2027年，从亏损到盈利
看到这里，也许有人会问：既然这么厉害，为什么财报还是亏损的？
答案是：战略性投入。半导体是重资产行业，英诺赛科过去几年投入了巨额的研发和设备费用。但这个阶段即将过去。
美银预估，公司的“盈利拐点”就在2027年。
规模效应：随着产能利用率在2026年爬升至85-90%，单位成本将大幅下降，毛利率将迅速转正并提升。
费用可控：研发费用率将随着收入规模扩大而下降（从54%降至12%）。

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