氧化镓SBD和MOSFET全球市场占有率调查报告

氧化镓SBD是一种基于氧化镓半导体材料的肖特基二极管，具备高耐压、低反向漏电和高效率特性，适用于电源和功率电子领域

氧化镓MOSFET是一种基于氧化镓的金属氧化物半导体场效应管，具备高击穿电压、低导通电阻和高频性能，适用于电动汽车、光伏和工业电源等场景

据YHResearch调研团队最新报告“全球氧化镓SBD和MOSFET市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球氧化镓SBD和MOSFET市场规模将达到0.9亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为10.6%

根据YHResearch头部企业研究中心调研，全球范围内氧化镓SBD和MOSFET生产商主要包括Sigetronics、Syrnatec等

2024年，全球前三大厂商占有大约73.0%的市场份额

氧化镓SBD和MOSFET的主要驱动因素包括其极高的击穿电场强度和优异的功率密度，使器件在高压、高温和高频场景下具有显著优势，能够有效降低能量损耗并提升系统效率

同时，电动汽车快充、高压电源、数据中心电能管理及航天军工等领域对高效率功率器件需求旺盛，推动氧化镓功率器件加速商用

主要阻碍因素在于晶圆制备良率低、外延生长成本高、导热性能较弱、工艺成熟度不足以及封装与测试技术尚未完全适配，导致整体成本仍高于SiC与GaN器件

行业发展机遇在于氧化镓材料可实现8英寸以上大尺寸衬底量产，MOCVD与HVPE外延技术进步将显著降低制造成本，配合车规级应用与高压直流输电市场的快速增长，预计未来5至10年氧化镓SBD与MOSFET将在高压功率电子与能量转换领域实现突破性渗透

领先企业介绍：Sigetronics

2024年7 月 22 日——韩国领先的化合物半导体公司 Sigetronics 宣布，它已成功开发出采用氧化镓 (Ga₂O₃) 的下一代肖特基势垒二极管 (SBD)——这是超快速开关功率半导体领域的突破性材料

氧化镓是新一代超宽带隙 (UWB) 半导体材料，目前美国、日本等国正在积极研究

与碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等现有宽带隙材料相比，氧化镓具有更宽的能带隙和更高的临界电场强度，使其成为高压、大电流、高温和高效应用的理想选择
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