研报速递
半导体国产化喊了这么多年，大多数时候听到的是“提速”“突破”这样的定性词。具体推进到什么程度、市场空间到底多大，往往没人说得清。野村证券十月初的一份《中国半导体设备与材料》报告，把这件事算成了可以追踪的账。
这份报告的价值，不在给出一个精确的终点，而在给国产化装上了一把能量尺寸的尺子。
报告把中国晶圆厂设备（WFE）市场算得很清楚：2026年约554亿美元，同比增长27.1%；到2030年预计达1035亿美元。2026到2030年五年累计资本开支约4073亿美元，其中约97%来自本土代工厂和IDM。
换句话说，国产替代的“池子”被清晰丈量了——本土需求几乎完全主导设备采购，进口替代的空间不再模糊。
自给率也做了拆解：中国半导体整体自给率预计从2025年的约34%升到2030年的约47%。其中成熟制程从49%接近70%，存储从25%到超45%，先进制程从4%到超10%。
这份拆解最有意思的地方，是它没有回避先进制程的差距，同时把成熟和存储定位成主战场。资源往哪投、优先级怎么排，一下子就清楚了。
报告最“反直觉”的一个判断，是把EUV受限转化成了结构性利好。
拿不到EUV，先进制程只能靠DUV多重曝光硬顶。7nm级别芯片大约要140道刻蚀，是28nm的3.5倍；一条12英寸先进产线，每万片月产能要配约60台刻蚀设备，成熟产线只要25台。
光刻卡脖子，价值量反而转移到了刻蚀、沉积、清洗、CMP这些国产化率相对更高的环节，形成“以量补质”的替代路径。存储芯片（尤其DRAM/HBM）扩产同样高度依赖刻蚀和ALD薄膜设备，资本开支的大头，正好落在国产设备更有基础的位置上。
报告把扩产节奏、资本开支和设备本土化率串成了一条链，设备订单第一次有了可追踪的锚。
已装机口径下，国产设备占比已从2024年的约25%升到2025年的约35%；刻蚀、清洗等环节国产化率已过五成，而光刻、量检测仍不足一成。报告等于在告诉市场：国产化率每提升一个百分点，对应多少设备订单增量，是可以估算出来的。
它的情景测算更揭示了一层非线性关系：若2030年自给率达到50%，累计WFE市场将升至4634亿美元，比基准高13.8%；达到60%，6252亿美元，高53.5%；到70%，则接近翻倍至7871亿美元，高93.3%。
国产化率的小幅超预期，会带来设备市场空间的显著放大。这也是中微、北方华创、拓荆科技这些被点名的设备商近期受关注的原因——它们在不同环节的卡位，恰好对应报告拆出的结构性机会。
报告不是没有边界。它假设EUV禁运在2026到2030年持续，这本身是政策变量，不是产业内生变量；外部环境一变，测算基准就要重调。
成熟制程自给率接近70%的预测，也建立在国产设备在成熟环节已具备替代能力之上。但零部件和材料的“最后一公里”——静电卡盘、MFC、高端光刻胶——仍是硬瓶颈。自给率能走到哪一步，最终取决于这些底层环节的突破节奏。
说到底，这份报告真正带来的，不是那个终点数字，而是一套可以持续追踪、随时修正的度量体系。它让国产化从“方向正确”变成了“路径可算”。
账能算清，才谈得上怎么走。对产业如此，对投资也是如此。
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