磷化铟（InP）衬底光芯片产业链研究报告

从"工业味精"到算力底座：上游磷化铟材料、中游光芯片、下游光通信应用的全景解构与国产突围路径

1. 磷化铟是 AI 算力光互连链条上"用量最小、却最不可替代"的底层材料。硅是间接带隙半导体、无法发光；砷化镓单通道速率见顶且传输距离受限。磷化铟（InP）是当前唯一可同时满足 1310nm/1550nm 光纤低损耗窗口、高速直接调制与长距传输（500 米至 10 公里以上）的商用直接带隙 III-V 材料。这意味着无论终端走 EML 路线还是硅光/CPO 路线，光源环节都绕不开磷化铟——硅光渗透率越高，InP 基 CW 激光器的总用量反而越大，两者是绑定关系而非替代关系。

2. 产业链呈现"两头紧、中间挤"的结构性错配，且短期无解。据 Yole、Omdia 及中国银河证券等机构测算，2025 年全球 InP 衬底需求约 200–210 万片（折 2 英寸），有效合规产能仅 60–70 万片，缺口超过 70%；2026 年需求升至 260–300 万片，有效产能仅约 75 万片，缺口比例几乎没有改善。衬底扩产周期以"年"计，Lumentum CEO 在 2026 年 7 月公开表示，InP 供需缺口"已显著超过 DRAM 与 NAND 闪存"，头部厂商订单已排至 2028 年。

3. 全球格局高度寡头化，材料环节的国产化率远低于光模块环节。日本住友电工、美国 AXT（北京通美）、日本 JX 金属三家企业合计占据全球 InP 衬底 90% 以上份额，中国本土厂商合计份额不足一成；而在下游光模块环节，中国厂商合计份额已突破 60%。这种"下游强、上游弱"的剪刀差，正是本轮产业周期的核心矛盾，也是国产替代弹性最大的方向。

4. 中游光芯片是国产化最薄弱、也是 2026–2027 年窗口期最珍贵的一环。全球高端 InP 光芯片 80% 以上份额由 Lumentum、Coherent 两家垄断；25G 以上高端光芯片国产化率约 4%，100G 以上高端 EML 不足 10%。国内已在 100G EML 与高功率 CW 光源上实现批量突破，200G EML 处于客户验证到量产爬坡的关键阶段。行业普遍判断，2027 年头部厂商良率爬坡完成后，高端国产化率有望从个位数提升至 25%–30%；此后海外龙头扩产陆续到位，追赶窗口收窄。

5. 技术卡点不止于"缺材料"，而是材料、设备、工艺、认证四重叠加。MOCVD 与 EBL 交期长达 12–18 个月；高端外延片依赖进口；EML 芯片的 DFB 与电吸收调制器温漂系数不匹配（0.1nm/℃ 对 0.5nm/℃），无制冷方案是功耗与成本的关键；进入北美云厂供应链需 2–3 年可靠性验证，且每代速率升级都要重新认证。技术差距可以追赶，认证信任是"慢变量"。

6. 中长期需正视替代变量的存在，但"归零"概率极低。硅光在 800G 及以下短距场景的渗透、薄膜铌酸锂（TFLN）在 3.2T 以上超高速调制环节的应用，都会稀释 InP 在"衬底级"的用量。但 InP 作为发光芯片的物理地位在 2035 年前难以动摇。产业更可能演化为"先增后降、分场景递减"：2026–2029 年为需求高峰，2030 年后中低端用量回落，高端光源长期刚性。

2.1 材料定义与物理属性

磷化铟（Indium Phosphide，InP）由铟与磷按 1:1 原子比组成，属第二代 III-V 族化合物半导体，晶体结构为闪锌矿型。其关键物理属性决定了它在光通信中的不可替代性。

与砷化镓（GaAs）相比，InP 器件转换效率更高、工作频率上限更高、噪声特性更好；与硅相比，InP 具备硅完全不具备的发光能力。在 800G/1.6T/3.2T 演进的每一个速率台阶上，"电—光转换"这一环节的选材始终指向 InP。

2.2 应用边界：不止于光通信

磷化铟衬底的应用可归纳为三条主线。

●光通信（绝对主力）：制造 DFB 激光器、EML 电吸收调制激光器、CW 连续波激光器、PIN/APD 探测器，是高速光模块与 CPO 的核心发光与探测器件。

●射频与感知：HBT、HEMT、低噪声放大器（LNA），用于卫星通信（Ka/Q/V 波段）、毫米波与太赫兹雷达（含 77/79GHz 车载雷达）、5G/6G 基站射频前端，在 100GHz 以上频段优势明显。

●前沿科技：激光雷达、VR 激光传感器、生命体征监测传感、量子点激光器与单光子源（量子密钥分发）、空间太阳电池。据 Yole 预测，2026 年传感器件领域的 InP 衬底市场规模约 3200 万美元。

2.3 市场规模与生命周期定位

从规模看，InP 属于"小而关键"的品类，但增速显著。

据 LightCounting，InP 是光芯片市场中最大的细分领域，2025 年占光芯片总市场的 58%。行业生命周期上，磷化铟正处于"从成熟小众材料跃迁为战略稀缺品"的拐点期：过去二十年它是通信设备的稳定配套材料，需求线性增长；2023 年起的 AI 算力基建把它推入指数级需求曲线，而供给端受制于矿产刚性与工艺壁垒，无法同步响应。

磷化铟光芯片产业链可拆解为五层价值传导：高纯原料（铟、磷、MO 源）→ 多晶合成 → 单晶衬底 → 外延片 → 光芯片 → 光模块与光系统。其中单晶衬底是全链条技术壁垒最高、当前最紧缺的环节，光芯片是价值量最集中、国产化率最低的环节。

3.1 上游：磷化铟材料

上游材料链条由高纯铟、电子级高纯红磷、MO 源前驱体、InP 多晶合成与单晶衬底五个环节串联而成。其中铟资源受制于伴生刚性、红磷受制于电子级提纯与海外配额，两者共同构成本轮供需紧张的最上游约束。

3.1.1 高纯铟——供给刚性的源头

铟是典型的稀散金属，约 90% 来自锌冶炼副产品，产量受制于锌矿开采周期，无法独立扩产。2025 年全球原生铟精炼总产量约 1100 吨，同比仅增长 0.92%；其中中国约 760 吨（占约七成），韩国约 180 吨，日本约 65 吨。这种"伴生刚性"意味着，即便未来三年 InP 需求增长数倍，上游铟供应也难以同步响应——这是整条产业链最底层的紧约束。

价格已充分反映这一稀缺性：2026 年以来国内精铟价格涨幅超过 80%，从 400 美元/公斤涨至 785 美元/公斤（上涨 96%）；自 2024 年初至 2026 年 7 月，中国精铟累计涨幅约 180%。衬底级原料需 6N 甚至 7N 纯度，工艺路线为电解、真空蒸馏、区域熔炼多段串联。

●锡业股份：全球最大原生铟生产商，7N 高纯铟国内第一，是磷化铟衬底厂商核心原料供应商；

●豫光金铅：可稳定量产 7N 级超高纯铟，现有约 300kg/年，规划扩至 4 吨/年；

●云南锡业新材料：具备 7N/8N 产能；有研新材：央企平台，打通 6N/7N 提纯与 InP 单晶生长一体化链路；

●株冶集团、驰宏锌锗、华锡有色：依托铅锌冶炼副产回收，补充供给。

值得注意的是，中国虽为全球最大精铟生产国，但铟资源进口依赖度约 68%，且 7N 级仍属少数企业能力范围，"资源强、制造弱"在上游同样存在。

3.1.2 电子级高纯红磷——被忽视的另一半

InP 由铟与磷构成，6N–7N 级电子级红磷长期被日本 NCI 等企业垄断，2026 年出现配额收紧，构成阶段性断供风险。国内进展包括：拓材科技已实现 30 吨 7N 级规模化量产；威顿晶磷现有约 35 吨/年 7N 低硫高纯红磷产能、通过 SEMI 认证并专供 6 英寸高端衬底厂商；兴发集团依托电子级黄磷与磷烷技术优势，由兴福电子负责推进 6N/7N 中试；澄星股份掌握 9N 高纯黄磷精馏工艺；云天化具备 5N–6N 级量产能力，6N 半导体级高纯磷已完成多家头部 InP 材料厂商认证。

3.1.3 MO 源与前驱体

外延生长必经的金属有机源（MO 源）中，三甲基铟（TMIn）是 InP 基 MOCVD 外延的核心前驱体。南大光电是国内高纯三甲基铟量产龙头，同时是国内高纯磷烷产能龙头。值得关注的是，三甲基铟与磷化铟同属 2025 年 2 月中国出口管制清单物项，上游材料的战略属性已经外溢到前驱体环节。

3.1.4 多晶合成

高纯铟与高纯磷在高温高压下合成 InP 多晶料，是长单晶的直接投料，工艺核心是磷蒸气压控制（InP 熔点 1060–1070℃）。国内铭镓半导体规模第一，年产近 30 吨，约占国内近半需求，已进入华为、中际旭创等头部供应链；先导系、通美晶体亦在此环节布局。

3.1.5 单晶衬底——全链条壁垒之最

衬底制备流程为：多晶合成、单晶生长、切割磨边、研磨抛光、清洗、真空封装。单晶生长主流工艺有三种。

技术挑战集中在四点：其一，磷的高蒸气压与热应力控制困难，需减少孪晶、提高成晶率；其二，晶体脆性大导致加工良率偏低；其三，大尺寸晶圆量产难度高，InP 最大商用尺寸仅 6 英寸（硅为 12 英寸）；其四，掺杂均匀性难以精确控制——工业化扩散掺杂无法像搅拌糖水一样机械搅拌，任何微小偏差都会导致电性能不达标。

良率是决定成本的核心变量。行业调研显示，国内主流厂商综合良率约 30%–40%，海外龙头稳定在 45%–60% 以上（不同信源口径差异较大，需交叉验证）；6 英寸产品国内良率约 60%–75%，国际龙头可达 80% 以上。单晶环节的成晶率波动尤其剧烈，好时可达 40%、差时仅 5%，因此产能评估不能只看稼动率。价格方面，供需失衡已充分传导至价格端。

交付周期已延长至 24–40 周，下游厂商需预付 30%–50% 定金才能锁定产能。

3.2 中游：光芯片

光芯片是产业链价值量最集中的环节。按技术路线可分为四大类，彼此互补共存而非完全替代。

关键结论：四条路线并不构成对 InP 的完全替代。EML 与 CW-DFB 直接以 InP 为基底；硅光虽以硅为基底，但必须外挂 InP 基 CW 激光器；即便是 1.6T 硅光方案，单模块仍需约 8 颗 CW-DFB。因此硅光渗透率的提升，实质上是把 InP 的用量从"衬底消耗"转移到"光源消耗"。

工艺链条上，光芯片需依次完成外延生长（MOCVD）、光刻与刻蚀、电极与减薄、解理与镀膜、测试分选。外延环节通过 MOCVD 在衬底上逐层生长功能薄膜，直接决定器件光电性能，是国产厂商普遍薄弱、高端外延片依赖进口的环节。

3.3 下游：光通信应用

下游是需求爆发的直接来源，也是中国厂商份额最高的环节。需求传导机制为：AI 大模型训练进入万卡集群时代，带动 800G/1.6T 光模块大规模部署；单模块 InP 激光器用量随速率翻倍（800G 需 4–8 颗，1.6T 需 8–16 颗，衬底消耗为 800G 的 2.7–3 倍），再向上追溯至衬底与铟。据集邦咨询，2026 年全球 800G 及以上光模块出货量预计超过 6300 万只，占整体出货量约六成。

需求侧的长期锚点已经明确：据中邮证券，2026 年全球 AI 基础设施资本支出约 1.37 万亿美元；高盛将 2026–2028 年全球光模块市场预期分别上调 33%、81%、115%，2028 年规模接近 1500 亿美元。英伟达则要求供应商在 2030 年前将 InP 激光器产能扩充至现有规模的 20 倍，并分别向 Coherent 与 Lumentum 各投资 20 亿美元锁定产能，其 Quantum-X 交换机单台配备 18 个硅光引擎，全部使用 InP 衬底。

下一代形态：CPO 与 OIO。CPO（共封装光学）将光引擎与交换芯片合封，可降低至少 30% 功耗与约 25% 成本。业界普遍判断其大规模商业化在 2028–2029 年，届时产业链价值重心可能从"可插拔模块"切换到"光引擎与交换机封装"，模块厂话语权或被芯片厂与交换机厂上收——这是下游格局最大的变量。

4.1 全球格局：材料端三寡头，芯片端双龙头

衬底环节呈现极端寡头特征。

光芯片环节集中度同样极高：全球高端 InP 光芯片 80% 以上份额由 Lumentum 与 Coherent 垄断；EML 领域 Lumentum、Coherent、Broadcom 三家合计超过 70%，计入三菱电机与住友电工后，前五家 2024 年市占率约 76%。200G EML 全球仅 Lumentum、Coherent、住友、三菱、博通、AAOI 六家可供应，索尔思处于样品阶段。据 TrendForce，2026 年 EML 与 CW-DFB 合计产能约 5070 万颗，前三名 Broadcom、Lumentum、住友电工合计约 55%；CW-DFB 细分中 Broadcom 与住友领先，Coherent、LandMark/LuxNet 紧随，四家合计约 74%。

价格层面，100G EML 已从 5 美元涨至 7–8 美元；200G EML 达 10–15 美元，现货溢价可达 50% 以上；高功率 CW 光源一年内接近翻倍；高端定制型号涨幅超过 100%。200G EML 的严重短缺，被普遍认为是 1.6T 光模块放量的最大瓶颈，预计贯穿 2026 至 2027 年，缺口率可能达 35%–70%。

4.2 中国格局：衬底"一超多强"，光芯片"梯队分明"

衬底环节，国内已形成五个具备规模化生产能力的主体。

此外，海特高新（海威华芯）是国内唯一具备 6 英寸 InP 全流程晶圆代工能力的企业，拥有 20 余台 MOCVD，外购云南锗业衬底做外延与芯片代工，为华为、中兴代工 InP 激光器芯片；中科晶电侧重红外与军工衬底。

光芯片环节，国内按量产进度可分为三个梯队。第一梯队已实现批量出货：源杰科技为国内高速光芯片 IDM 龙头，25G EML 2025 年量产 4000 万颗，100G EML 国内市占约 15%、全球约 3.5%，200G EML 国内约 6%，高速光芯片国内份额超 18%，100mW 及以下功率 CW 产品已是全球第二大供应商，2026 年上半年营收 9.25 亿元（同比 +351%）、归母净利润 6.07 亿元（同比 +1100% 以上），数据中心业务毛利率达 84%。

东山精密子公司索尔思光电是国内唯一实现 200G EML 大规模量产并对外供货的企业，良率约 92%，采用 InP 光子集成方案适配 1.6T 模块，常州项目总投资由 12 亿美元增至 17 亿美元。三安光电产品矩阵最完整，70mW–200mW 全功率段 CW 激光器与 100G EML 已批量出货，200G EML 完成可靠性测试并启动送样，400mW 高功率 CW 计划 2026 年四季度送样、2027 年一季度量产，光芯片月产能规划由 2750 片提升至 4500 片。

4.3 国产化率现状

5.1 供需缺口测算

口径提示：另有信源给出 2025 年全球总产能约 120 万片、2026 年约 150 万片（含厂商自用口径），与"有效合规产能"统计存在差异，缺口比例亦随之不同。评估可交易供给时，建议以"对外销售口径"为准。

5.2 供给端的四重约束

●资源刚性：铟为锌冶炼副产品，产量无法独立扩产，2025 年全球产量同比仅增 0.92%。

●工艺刚性：单晶生长成晶率波动大（5%–40%），掺杂均匀性依赖长期工艺积累，良率提升无法靠资本开支速成。

●设备刚性：MOCVD 交期 12–18 个月，EBL 交期超 12 个月，全球抢购，光芯片扩产是"线性工程"。

●周期刚性：长晶炉从下单到投产约 24 个月，从建厂到稳定量产至少 2 年；行业普遍判断 2028 年前新增产能难以补上缺口。

5.3 需求端的三级放大

●速率升级放大：400G 到 800G 到 1.6T 再到 3.2T，每一级翻倍带来 InP 芯片用量再度翻倍，单模块衬底消耗量非线性增长。

●场景扩散放大：从数据中心互联扩展到 DCI、骨干网、卫星通信、激光雷达、量子通信。

●硅光绑定放大：硅光渗透率提升反而抬高 InP 光源总需求，形成"越用越缺"的正反馈。

产业链的技术难点可归纳为六个层次，且相互叠加而非孤立存在。

6.1 衬底：晶体生长与加工

磷的高蒸气压与热应力控制是核心难点，需减少孪晶、提高成晶率；大直径单晶的位错密度控制需要改善热场结构、控制掺杂条件；晶体脆性大，切割、研磨、抛光环节加工良率低；掺杂均匀性无法通过机械搅拌实现，扩散过程对温度场与时间窗口极其敏感；半绝缘 InP 单晶片的热稳定性提升、减少 Fe 掺杂剂用量仍是待解问题。

6.2 设备：MOCVD 与 EBL 的"卡脖子"

MOCVD 是外延生长的核心设备，被德国 Aixtron 与美国 Veeco 双寡头垄断，单台造价千万级。据行业调研，Aixtron 设备交期约 15 个月；Coherent 与 Lumentum 通过提前付款可将交期缩短至 12 个月，国内厂商则可能需等待 18 个月。高端电子束光刻（EBL）交期超 12 个月，由日本 JEOL、德国 Raith 等垄断。此外，硅光代工产能全球约 70% 集中在以色列 Tower Semiconductor，关键命脉同样不在国内。

6.3 外延：纳米级精度控制

外延片通过 MOCVD 在衬底上逐层生长多层功能薄膜，需实现纳米级量子阱结构精度控制，直接决定器件的阈值电流、斜率效率与调制带宽。国内厂商普遍在外延环节薄弱，高端外延片依赖进口，这是"有设备也做不出好芯片"的关键症结。

6.4 芯片：温漂匹配与无制冷化

EML 的结构性难题在于：DFB 激光器部分与电吸收调制器（EAM）部分的温漂系数不匹配——前者约 0.1nm/℃，后者约 0.5nm/℃。若不使用 TEC（热电制冷器）精确控温，高温下光功率与调制性能会严重下降，因此传统 EML 通常需配 TEC，但这增加了系统功耗与成本。无制冷（或低功耗）EML 技术因而成为重要研发方向，直接关系数据中心能效指标。此外，单通道速率向 200G 以上演进时信号易失真，仅少数海外厂商可稳定量产；通过差分 EML 结构创新提升抗串扰能力与信号完整性，是 400G/lane 的重要路径。

6.5 封装：微米级耦合

激光需精准射入约 9 微米的光纤纤芯，偏移 0.5 微米即可导致光功率损耗过半；同时需在宽温区间保持光路稳定，量产良率管控难度大。这也是 CPO 依赖半导体级封装良率、商业化时点被推迟至 2028–2029 年的重要原因。

6.6 认证：时间换不来的信任壁垒

高端光芯片进入英伟达、微软等大客户供应链，往往需要 2–3 年可靠性验证；且每一代速率升级（400G 到 800G 到 1.6T）都要重新认证，周期长达 12–18 个月。海外巨头拥有数十年出货记录，国内厂商作为"新人"不仅要证明产品参数达标，还要证明长期稳定供应能力——这种信任壁垒比技术壁垒更难打破。

7.1 速率演进路线图

200G EML 预计在 2027 年进入产业主流应用周期，成为下一代算力中心光通信系统的核心器件。为绕开 EML 瓶颈，行业正加速向硅光路线切换，中国头部厂商在硅光模块的量产准备上处于全球领先位置。

7.2 替代技术的影响评估

硅光：2025 年渗透率约 27.6%，有机构预测 2028 年可达 54.9%（单一信源）。硅衬底价格约 0.2 美元/cm²，仅为 InP 的 1/20–1/30。但硅光模块必须外挂 InP 基 CW 激光器，1.6T 硅光单模块约需 8 颗 CW-DFB。因此硅光是 InP 用量的"结构性再分配"，而非总量削减——InP 总需求仍以每年 25% 以上的复合增速增长。

薄膜铌酸锂（TFLN）：在 3.2T 以上超高速调制环节具备带宽优势，光库科技全球市占约 25%–40%，已实现 8 英寸 TFLN 调制器量产并进入英伟达、谷歌供应链。其替代对象是调制器，而非发光器件，InP 作为"发光芯片"的地位得以保留。

CPO/OIO：长期看将重塑价值链，把价值重心从可插拔模块转向光引擎与交换机封装。对光芯片而言是需求拉动，对模块厂商而言则可能是一次格局洗牌。

7.3 需求曲线推演

综合机构判断，InP 需求大概率呈"先增后降、分场景递减"的形态。

●2026–2029 年（需求高峰）：800G 全面普及、1.6T 规模上量、AI 数据中心爆发，单模块 InP 用量较 400G 提升 3–5 倍，年复合增速 25%–35%，供需缺口维持 70% 以上，价格高位运行。

●2030–2035 年（分化期）：短距与中低速场景（800G 及以下、2km 以内）硅光渗透率提升，传统 EML 部分被"硅光加外置 InP CW 光源"替代，单位模块衬底用量降至原有 1/5–1/10；但 1.6T–3.2T 长距光模块、高端 DFB/CW 光源、卫星与激光雷达与 6G 射频等场景需求依然坚挺。

●2035 年后（重构期）：薄膜铌酸锂与硅光异质集成成熟，InP 在部分高速调制环节被替代，角色从"衬底级材料"退化为"芯片级光源材料"。综合判断总用量较峰值可能下降 50%–70%，但不会归零——发光能力是 InP 无法被剥夺的物理特权。

8.1 国内政策

●出口管制：2025 年 2 月，商务部将磷化铟及三甲基铟等列入两用物项出口管制清单。中国掌握全球约 69% 精铟产量（安泰科口径），在原料端具备战略筹码；但管制也带来国内厂商出口审批周期拉长、海外客户认证受限等现实影响。

●目录与关税：磷化铟衬底被纳入《重点新材料首批次应用示范指导目录》；《2025 年关税调整方案》下调磷化铟外延片生产用石墨配件进口关税，降低下游制造成本。

●科研专项：科技部牵头"战略性矿产资源开发利用"重点专项，支持 6N 级以上超高纯铟制备技术研发；有研新材承担国家 02 专项 6 英寸磷化铟单晶片制备项目。

●产业投资目标：预计到 2026 年中国相关产业投资超 200 亿元，形成年产 50 万片衬底、1 亿只器件的供给能力。

8.2 海外布局

●JX 金属：宣布扩产计划（口径有 200 亿日元与 1200 亿日元两种），目标产能提升 7–10 倍，优先扩充 6 英寸高端产能；

●Coherent：2024 年 3 月宣布建成全球首个具备 6 英寸 InP 晶圆生产能力的工厂，2026 年 6 月在得克萨斯州启动扩建奠基，建成后自身产能提升 4 倍，获美国 CHIPS 法案 5000 万美元补贴；

●住友电工：计划扩产约 20%，但受中国铟原料出口限制影响，产能释放受限，交期 18 个月以上。

8.3 国内区域产业布局

●云南：依托云南锗业与临沧锗铟资源，形成"资源加衬底"闭环，是国内 InP 衬底产能核心区；

●广东：先导科技集团以稀散金属提纯起家，构建覆盖高纯材料、衬底、外延、光芯片到光模块的全链条体系，并在浙江衢州布局 300 万片/年衬底项目；

●湖北：九峰山实验室联合云南鑫耀于 2025 年 8 月开发出 6 英寸 InP 基 PIN 探测器与 FP 激光器外延生长工艺，实现设备到材料的全链路国产化；

●江苏常州：东山精密光芯片与光模块扩建项目（总投资 17 亿美元）、纵慧芯光 InP 高端激光芯片项目（50 亿元）相继落地，形成光芯片产业集群；

●广东深圳：TCL 华星依托华兆星光项目切入 InP 激光芯片。

8.4 前沿科研突破

●2025 年 8 月，西南交通大学开发晶圆级薄膜铌酸锂与 InP 异质集成平台，实现 140GHz 太赫兹探测器、3.584Tbps 多通道相干接收芯片；

●2025 年 11 月，复旦大学余建军团队发布 InP 基 MUTC 光电二极管，3dB 带宽达 206GHz，外响应度 0.81A/W（Nature Photonics）；

●2026 年 3 月，OpenLight 宣布其 PH18DA InP 与硅光集成平台获首批量产订单，标志 InP 与硅异质集成从研发迈入量产；

●2026 年 3 月，Coherent 在 OFC 2026 展出 200G EML、400G D-EML、400mW 高功率 CW 激光器与 200G/400G 探测器全系列 InP 产品组合。

本章按环节梳理 A 股及主要未上市主体的业务定位与关键进展，仅为客观陈述，不构成任何投资建议。

9.1 上游材料

9.2 中游衬底

除云南锗业外，重点关注四条布局线：广东先导微电子（6 英寸 VGF 法，产能规模与产业链一体化程度突出，资产已划转至光智科技控股的先锐科技）；珠海鼎泰芯源（博杰股份控股，4 英寸稳定量产、6 英寸验证中，扩产目标 20 万片/年）；有研新材（02 专项技术储备，节奏偏保守）；三安光电（自建 6 英寸衬底线，自用为主）。此外海特高新（海威华芯）作为国内唯一的 6 英寸 InP 全流程晶圆代工平台，具有独特的配套价值。

9.3 中游光芯片

9.4 下游光模块

中际旭创（300308）、新易盛（300502）、天孚通信（300394）构成的"易中天"组合，合计在全球高端光模块市场份额超过 70%，是中国在全球光通信产业链中最具话语权的一环。其中中际旭创 2026 年半年报显示预付款余额从 2025 年底的 1.34 亿元跃升至 9.54 亿元，主要用于提前锁定上游光芯片与衬底产能，直观反映了"下游抢上游"的紧张程度。

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数据来源说明。本报告数据主要引自以下公开渠道：Yole Développement、Omdia、LightCounting、TrendForce（集邦咨询）、Rosenblatt、高盛、中国银河证券、东吴证券、中邮证券等机构研究；上海有色网（SMM）价格数据；证券时报、中国金融信息网、新浪财经、东方财富等财经媒体公开报道；上市公司定期报告与公告；行业协会与科研机构公开发布成果；公开产业调研纪要。